(кислородной маски)

1) авиа. выпускной клапан кислородной маски, клапан выдоха (кислородной маски или герметического шлема)

2) мед. клапан выдоха

3) воен. байпас, выдыхательный клапан

4) ВМФ. выдыхательный клапан (водолазного шлема)

1) Общая лексика: выразитель (мнения, интересов и т. п.), выразитель мнения, глашатай, загубник, микрофон, мундштук, насадок, оратор (от группы), рупор

2) Медицина: наконечник

3) Американизм: адвокат по уголовным делам

4) Военный термин: дульная гайка, мегафон, надульник

5) Техника: мегафонный рупор, сопло, зазубник (кислородной маски), загубник (респиратора)

6) Сельское хозяйство: грызло, удила

7) Строительство: респиратор

8) Горное дело: мундштук (дыхательного аппарата), насадка трубы

9) Музыка: мундштучный

10) Полиграфия: мундштук (отливного котла)

11) Текстиль: направляющий канальный ввод (напр. валяльной машины или прядильного комбайна)

12) Сленг: адвокат, защитник интересов

13) Космонавтика: амбушюр, раструб

14) Бытовая техника: насадка

15) Полимеры: выходное отверстие

1) авиа. впускной клапан (кислородной маски)

2) воен. вдыхательный клапан

  Человек с планеты Икс

   1951 – США (70 мин)

     Произв. Mid-Century Films (Обри Уизбёрг, Джек Поллексфен), прокат в Калифорнии Шеррилл Корвин, в остальных штатах UA

     Реж. ЭДГАР ДЖОРДЖ УЛМЕР

     Сцен. Обри Уизбёрг и Джек Поллексфен

     Опер. Джон Л. Расселл

     Муз. Чарлз Рофф

     В ролях Роберт Кларк (Джон Лоренс), Маргарет Филд (Энид Эллиот), Реймонд Бонд (профессор Эллиот), Уильям Шаллерт (доктор Мирз), Рой Энджел (полицейский), Чарлз Дэйвис (Джорди), Гилберт Фоллмен (инспектор Портер).

   Журналист из Лос-Анджелеса Джон Лоренс приезжает на шотландский остров Бёрри, где живет профессор Эллиот, открывший в Солнечной системе неизвестную ранее планету Икс. Через несколько десятков часов она приблизится к Земле. Оборудовав под свои нужды древнюю башню, много веков назад оберегавшую местных жителей от нашествий викингов, Эллиот ведет наблюдения за планетой вместе с доктором Мирзом, человеком жадным до власти и денег, которого Лоренс открыто презирает. (По его мнению, Мирз чудом ускользнул от правосудия и должен отсидеть в тюрьме как минимум лет 20.) Энид, дочь Эллиота, – подруга детства Лоренса. Ночью она едет по туманной равнине, попадает в аварию и находит странную капсулу в форме подводного колокола, за стеклом которой видит страшное лицо. Она прибегает к отцу и рассказывает ему о странном происшествии, и тот немедленно связывает его с приближением планеты Икс. Эллиот и Лоренс направляются к космическому кораблю, откуда выходит низкорослый человекоподобный инопланетянин и робко угрожает им револьвером. Вскоре он слабеет, и Лоренсу приходится подкрутить ручку его кислородной маски, чтобы он снова смог дышать. Инопланетянин благодарен, внешне выражает готовность к сотрудничеству и идет за мужчинами в башню. Мирз хочет установить с ним контакт при помощи геометрии и просит оставить их наедине. Наладив общение с инопланетянином, он набрасывается на него, чтобы силой вырвать научные тайны. В последующие часы Энид, Мирз, Эллиот и еще 2 местных жителя исчезают. Инопланетянин похитил, укротил и зомбировал их при помощи яркого луча космического корабля. Поскольку телефонная линия оборвана, местный полицейский оптическим телеграфом просит экипаж проплывающего мимо корабля предупредить Скотленд-Ярд. На остров приезжают 2 инспектора. К этому времени другие жители деревни тоже стали «рабами» инопланетянина. Инспекторы хотят подключить армию. У Лоренса есть другое предложение, но ему дают время только до 11 часов вечера, поскольку в полночь планета Икс, чьим обитателям грозит гибель от переохлаждения, приблизится вплотную к Земле и, по всей вероятности, начнет вторжение. Лоренсу удается освободить всех зомбированных пленников из космического корабля, по которому военные готовились ударить из гранатомета. Мирз хочет вернуться в корабль, но погибает. Корабль взрывается вместе с пилотом. Траектория планеты Икс проходит очень близко от Земли, но планеты расходятся. Лоренс говорит, что лучше сохранить информацию об этих событиях в тайне. Он вновь встретится с Энид в Калифорнии.

   ►  1-й научно-фантастический фильм Улмера, снятый за 6 дней при мизерном бюджете на студии Хэла Роуча в декорациях, построенных для Жанны д'Арк, Joan of Arc. Для Улмера научная фантастика – не более и не менее странная область деятельности, нежели детективный, приключенческий жанр или драма. Что касается атмосферы и изобразительного стиля, перед нами все тот же нереальный, безысходный мир, усеянный строениями в несколько извращенном архитектурном стиле, все те же сумерки, как будто в аквариуме, все тот же постоянный, физически ощутимый, совсем не литературный страх – черты, порожденные снами и кошмарами режиссера, его тревогами, а также заветами экспрессионизма и Мурнау. В этом фильме Улмер чрезвычайно оригинальным, в какой-то степени даже революционным образом (вряд ли осознавая это), совершает переворот авторской позиции, важнейший для дальнейшего развития жанра, который в 1951 г. еще делал робкие 1-е шаги. Этот поворот, из которого сумеют извлечь безграничную выгоду другие, более ловкие режиссеры – напр., Спилберг в Инопланетянине, Е.Т.*, – здесь только набросан вчерне, но это уже позволяет нам отметить фильм как определенную веху. В самом деле, инопланетянин, прибывший с планеты Икс, больше напуган сам, чем пугает других. Он, кажется, настроен абсолютно миролюбиво, и только алчность и жестокость землянина не дают ему проявить свою подлинную природу. Те (к сожалению, слишком редкие) сцены, где фигурирует инопланетянин, весьма необычны и производят сильное впечатление; причиной тому – странное, застывшое выражение лица на маске персонажа (поскольку это и в самом деле обычная маска, похожая на творения африканских негров). В нем читается усталость, скорбь и бесконечная грусть. «Знаете, – говорит героиня в самом финале фильма, – мне кажется, что это существо не желало нам зла. Интересно, что бы произошло, если бы его не напугал доктор Мирз?» Этот знак вопроса, осознание того, что возможность упущена, придает совершенно необычный и пронзительный смысл этому крохотному фильму, открывающему безграничные перспективы.

  Photolithography

 Фотолитография

  Способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др. Обычно включает стадии: нанесения фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник; его сушку для улучшения адгезии к подложке; экспонирование видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; проявление (визуализацию) скрытого изображения путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и органическими растворителями, либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; термическую обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) для увеличения его стойкости при травлении; травление участков свободной поверхности травителями кислотного типа или сухими методами; удаление маски растворителями или выжиганием кислородной плазмой. При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на различных технологических слоях материала и при этом каждый последующий рисунок должен быть совмещен с предыдущим.

  Photolithography

 Фотолитография

  Способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др. Обычно включает стадии: нанесения фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник; его сушку для улучшения адгезии к подложке; экспонирование видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; проявление (визуализацию) скрытого изображения путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и органическими растворителями, либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; термическую обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) для увеличения его стойкости при травлении; травление участков свободной поверхности травителями кислотного типа или сухими методами; удаление маски растворителями или выжиганием кислородной плазмой. При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на различных технологических слоях материала и при этом каждый последующий рисунок должен быть совмещен с предыдущим.